Análisis, diseño, simulación, fabricación y caracterización de técnicas de acoplo eficientes a dispositivos nanofotónicos

El objetivo de esta línea de trabajo es el análisis, diseño, simulación, fabricación y caracterización de técnicas de acoplo eficientes a dispositivos nanofotónicos. Uno de los puntos más importante es conseguir un acoplo altamente eficiente entre fibras ópticas externas y dispositivos nanofotónicos de alto contraste de índice.

En gran parte, el material base utilizado para la implementación de dispositivos nanofotónicos es silicio en aislante (SOI, Silicon on insulator) aunque también se consideran otros materiales tales como óxido de silicio (SiO2) o nitruro de silicio (SiN).
Este tema es clave para optimizar las prestaciones de cualquier dispositivo tanto pasivo (tales como filtros, multiplexores o líneas de retardo) como activo (tales como conmutadores, amplificadores o láseres). El objetivo final es proponer soluciones eficientes que permitan el empaquetado de dispositivos nanofotónicos.

Las ventajas de estas técnicas de acoplo son la reducción de las pérdidas de acoplo de luz visible o infrarroja desde fibra o espacio libre al circuito fotónico y viceversa.

Actualmente se disponen de las facilidades necesarias tanto para la fabricación como para la caracterización de diversas técnicas de acoplo a dispositivos nanofotónicos, incluyendo técnicas de acoplo vertical a través de grating como acoplo horizontal a través de tapers directos o invertidos.