Explora I+D+i UPV

Volver atrás Patentes

A semiconductor manufacturing process flow to create a silicon nitride photonic integration platform with silicon pillars as thermal shunts, for use on hybrid integrated technologies such as III-V semiconductors.
Tipo de tecnología

PATENTE

Estado de protección

Nacional: P202430118 - 16/02/2024

Responsable contacto

Muñoz Muñoz Pascual

Más información

Rellena este formulario y nos pondremos en contacto contigo. Le informamos que los datos de carácter personal que Vd. facilite serán utilizados única y exclusivamente para dar respuesta a su consulta.

Más resultados en Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia con la cadena de busqueda "Radar"

  • Servicios de I+D

    Caracterización electromagnética de sistemas dispersores ...

    Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia

  • Líneas de investigación

    Fotónica de microondas

    Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia

  • Líneas de investigación

    Diseño de antenas de array de ranuras para aplicaciones d...

    Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia

  • Patentes

    Método y sistema para la generación de claves criptográfi...

    Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia

  • Patentes

    Detección fiable de hidrógeno a alta temperatura mediante...

    Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia

  • Proyectos

    MONITORIZACION ACUSTICA Y MULTIMODAL ASISTIDA POR INTELIG...

    Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia

  • Proyectos

    Avanzando en IoT para Gestión aUtomatizada del Agua con 5G

    Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia

  • Proyectos

    Technology Innovation for Radar European SYstem ApplicationS

    Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia